China tardará al menos 15 años en dominar la litografía EUV y seguirá rezagada en chips de última generación
Frank Rohmund de Zeiss estima que China tardará quince años en dominar la litografía EUV.

China tardará al menos 15 años en dominar la litografía EUV y seguirá rezagada en chips de última generación
En la feria Semicon Taiwan, Frank Rohmund, director de la división de semiconductores de Zeiss, dejó claro que el gigante asiático necesitará alrededor de quince años para desarrollar máquinas de litografía ultravioleta extrema (EUV) propias, la herramienta que hoy define la fabricación de chips de alta gama.
Zeiss califica el atraso como “razonable” pero complejo de medir
Rohmund describió esa cifra como un “supuesto razonable”, aunque admitió que el ritmo real de los avances chinos es difícil de rastrear. La brecha no solo se cuenta en años, sino también en la capacidad de producir equipos que alcancen la precisión de nanómetros que exige la industria global.
Las restricciones estadounidenses frenan la importación de EUV
Washington mantiene prohibidas las exportaciones de las máquinas EUV de ASML a China y exige licencias para varios modelos DUV por inmersión. El ejecutivo alemán advirtió que ampliar esas limitaciones a equipos DUV de generación anterior, que China ya maneja en parte, solo impulsaría la innovación local sin detener el desarrollo.
UBS sitúa a China en niveles comparables a los de 2004
Un informe de UBS, liderado por François‑Xavier Bouvignies, ubica el nivel técnico chino en un punto parecido al que ASML tenía en 2004. Según los analistas, la autosuficiencia en semiconductores podría alcanzar el 80 % para 2030, frente al 30 % actual. Mientras la litografía EUV sigue fuera de alcance, China podría producir en masa equipos DUV en dos a cinco años, aunque con limitaciones de rendimiento y bajo estrictas regulaciones.
Logros en DUV: el caso del Kirin 9000S
Aunque sin EUV, los fabricantes locales ya celebran hitos. Una empresa de Shanghái produce equipos DUV por inmersión, y SMIC logró el procesador Kirin 9000S para el Huawei Mate 60 Pro usando una segunda generación de 7 nm (N+2), el diseño lógico más avanzado conseguido sin litografía EUV, según TechInsights.
El escenario muestra una carrera tecnológica donde la presión de EE. UU. y la apuesta de China por la autosuficiencia se entrelazan. Mientras Estados Unidos sigue bloqueando el acceso a la litografía más avanzada, China acelera la inversión en I+D para cerrar la brecha, aunque los expertos coinciden en que el camino aún tiene varios años de distancia.
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